台湾专利TW201314216A 電流感測器用基板及電流感測器

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
本發明係對於利用具備具有U字形之電流通路之一次導體之電流感測器，降低製造成本。電流感測器(200)具備具有U字形之電流通路(201A)之一次導體(210)、用以支持磁電轉換元件(230A)之支持部(220A)、及與支持部(220A)連接之引線端子(220B)，且電流通路(210A)係以俯視時不與支持部(220A)重疊，且側視時與支持部(220A)之高度不同之方式形成。
公开号:TW201314216A
申请号:TW101125434
申请日:2012-07-13
公开日:2013-04-01
发明作者:鈴木健治；今庄秀人；高木大吾
申请人:旭化成微電子股份有限公司；
IPC主号:G01R15-00

专利说明:
電流感測器用基板及電流感測器
本發明係關於電流感測器用基板及電流感測器，更詳細而言，係關於具備具有U字形之電流通路之一次導體之電流感測器用基板及電流感測器。
先前，作為測定導體中流通之電流之電流感測器，已知有藉由使測定電流流動來檢測於周圍產生之磁通量之方法。例如有在測定電流流動之一次導體附近配置磁電轉換元件之方法。
圖1(對應專利文獻1之圖7)中，顯示先前之電流感測器之一例。於導電性夾具204中形成U字形之電流導體部204a，將霍爾元件208配置於該U字形之內側。U字形內側之中心附近磁通量密度較高，故測定靈敏度有所提高。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2006/130393號手冊
然而，圖1記載之電流感測器，須另行設置導電性夾具204而結合於引線端子202a~202d等，會在製造上耗費時間，且招致成本的增加。
本發明係鑒於如此之問題點而完成者，其第1目的在於利用具備具有U字形電流通路之一次導體之電流感測器，降低製造成本。且，第2目的在於提供該電流感測器用之基板。
為達成上述目的，本發明之第1態樣之電流感測器用基板，其特徵為包含：具有U字形之電流通路之一次導體；用以支持磁電轉換元件之支持部；及具有與上述支持部連接之引線端子之信號端子側構件；且，上述電流通路俯視時不與上述支持部重疊，且測視時與上述支持部之高度不同。
又，本發明之第2態樣，可行的是，第1態樣中，上述引線端子經由階差而與上述支持部連接。
又，本發明之第3態樣，可行的是，第1或第2態樣中，上述支持部具有缺口部，上述電流通路俯視時係配置於上述缺口部。
又，本發明之第4態樣，可行的是，第1至第3態樣中，上述一次導體具有連接於上述電流通路之階差部。
本發明之第5態樣，可行的是，第1至第4之任一態樣中，進而包含以俯視時與上述U字形之電流通路重疊之方式配置之磁性體材料。
本發明之第6態樣，可行的是，第1至第5之任一態樣中，進而包含以夾著上述U字形之電流通路之方式配置之磁性體材料。
又，本發明之第7態樣之電流感測器，可行的是，包含：如第1至第4態樣中任一項之電流感測器用基板；及IC晶片，其配置於上述電流感測器用基板之上述支持部，且包含檢測自上述電流感測器用基板之上述電流通路中流通之電流所產生之磁通量之磁電轉換元件。
又，本發明之第8態樣，可行的是，第7態樣中，上述磁電轉換元件俯視時係配置於上述U字形之電流通路之上述U字形之內側。
本發明之第9態樣之電流感測器，可行的是，其特徵為包含：如第5或6之態樣之電流感測器用基板；及IC晶片，其配置於上述電流感測器用基板之上述支持部，且包含檢測自上述電流感測器用基板之上述電流通路中流通之電流所產生之磁通量之磁電轉換元件；且，上述磁電轉換元件俯視時係配置於上述U字形之電流通路之上述U字形之內側。
本發明之第10態樣，可行的是，第9態樣中，上述磁性材料係以於與配置有上述IC晶片之上述U字形電流通路之側之面相反之面側，覆蓋上述磁電轉換元件之局部或整體之方式形成。
本發明之第11態樣，可行的是，第9或10之態樣中，上述磁性材料係自上述一次導體分離而形成於上述支持部上。
本發明之第12態樣，可行的是，第9至11之任一態樣中，上述磁性材料包含電鍍磁性體或磁性體晶片而構成。
本發明之第13態樣，可行的是，第7至12之任一態樣中，上述IC晶片側視時係自上述支持部突出。
本發明之第14態樣，可行的是，第13態樣中，上述IC晶片俯視時係與上述電流通路重疊，且上述磁電轉換元件俯視時係配置於上述U字形之電流通路之上述U字形之內側。
本發明之第15態樣，可行的是，第13或14之態樣中，上述IC晶片側視時係與上述U字形之電流通路隔以特定之間隔之配置。
本發明之第16態樣，可行的是，第13至15之任一態樣中，上述一次導體未支持上述IC晶片。
本發明之第17態樣，可行的是，第7至12之任一態樣中，上述電流感測器用基板之上述支持部具有缺口部，上述電流感測器用基板之上述U字形之電流通路俯視時係配置於上述缺口部，且與上述IC晶片重疊。
本發明之第18態樣，可行的是，第7至17之任一態樣中，上述磁電轉換元件係霍爾元件。
本發明之第19態樣，可行的是，7至18之任一態樣中，上述IC晶片進而包含配置於上述電流通路之U字形之外側且接近上述電流通路之位置之第2磁電轉換元件。
本發明之第20態樣，可行的是，第7至19之任一態樣中，上述磁電轉換元件係包含信號處理電路之霍爾IC或磁阻IC。
本發明之第21態樣，可行的是，第7至20之任一態樣中，進而包含形成於上述電流感測器用基板之一次導體與上述IC晶片之間之絕緣構件。
本發明之第22態樣，可行的是，第21態樣中，上述絕緣構件為絕緣膠帶。
根據本發明，藉由以包含具有U字形之電流通路之一次導體、用以支持磁電轉換元件之支持部、及具有與支持部連接之引線端子之信號端子側構件，且，俯視時U字形之電流通路不與支持部重疊，且側視時與支持部之高度不同之方式進行設計，可令電流感測器用基板及電流感測器之構成成為控制零件個數之簡便者，從而可降低製造成本。
以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。 (第1實施形態)
圖2中顯示第1實施形態之電流感測器。電流感測器200包含：具有U字形之電流通路210A之一次導體210；具有用以支持霍爾元件等之磁電轉換元件230A之支持部220A、及引線端子220B_1、220B_2之信號端子側構件220(以下，僅略記為「構件220」。)；及配置於支持部220A，且具有檢測自電流通路210A中流通之電流產生之磁通量之磁電轉換元件230A之IC晶片230。將一次導體210、構件220、以及IC晶片230以樹脂240塑模成形，形成電流感測器200。除IC晶片230及樹脂240以外之部分係電流感測器用基板。
引線端子220B_1係表示連接於支持部220A之引線端子，引線端子220B_2係表示未連接於支持部220A之引線端子。另，引線端子220B_1、220B_2在共通之說明中，各引端子僅參照作為引線端子220B。
電流通路210A係以俯視時不與支持部220A重疊之方式接近支持部220A而配置。又，如從圖3A之側視圖及圖3B之剖面圖可知，以側視時使搭載支持部220A之IC晶片230之側的面之平坦部分、與接近電流通路210A之IC晶片230之側的面之平坦部分之高度不同之方式配置有支持部220A與電流通路210A。
支持部220A與引線端子220B_1並非是個別構件，而是用金屬材料一體形成。即，支持部220A與引線端子220B_1物理上係成為一體，且物理性、電性連接。
如上所述，U字形內側之中心附近由於磁通量密度較高且電流檢測靈敏度提高，故磁電轉換元件230A俯視時係配置於電流通路210A之U字形之內側。另，IC晶片230側視時係自支持部220A突出，俯視時係與電流通路210A重疊。
本實施形態之電流感測器200中，構件220於支持部220A與引線端子220B之間具有階差部220C。例如藉由構件220之成形加工，可設置20~100 μm左右之階差部220C，藉此，可在電流通路210A與IC晶片230之間獲得間隙。該間隙可保證一次導體210與IC晶片230之間之較高的絕緣耐壓，且維持封裝內部較高的絕緣耐壓。若不存在階差部220C，則一次導體210之電流通路210A與IC晶片230會接觸，導致即便於IC晶片230之背面預先貼附絕緣薄膜，仍會使絕緣耐壓降低，而易破壞絕緣。此外，雖亦考慮預先於一次導體210上貼附絕緣薄膜，但此舉會招致步驟之複雜化，在追求抑制製造成本之狀況下可行性較低。
此處，參照圖4A~4C及圖5A~5C，說明實施形態1之電流感測器200之製造方法。首先，由一片金屬板，製作形成有所期望之圖案之引線框架。圖4A係顯示對應於一個電流感測器之一部分。接著，藉由以壓力加工等實施成形加工，於構件220設置階差部220C(圖4B)。其後，將IC晶片230晶片接合於支持部220B後，將引線端子220A與IC晶片230進行引線接合(圖4C)。最後，以樹脂240將一次導體210、構件220、及IC晶片230塑模成形，進行引線切斷，再藉由成形加工而形成一次導體端子210B及引線端子(信號端子)220B。圖5A係俯視圖，圖5B係前視圖，圖5C係右側視圖。
如此，第1實施形態之電流感測器200除了可比先前控制零件個數、降低製造成本外，還可保證一次導體210與IC晶片230之間之較高的絕緣耐壓。
圖6A中，顯示第1實施形態之電流感測器200之變化形態。電流感測器600除IC晶片630以外與電流感測器200相同。IC晶片630在配置於支持部220A之時，第1磁電轉換元件630A俯視時係配置於電流通路210A之U字形之內側，且第2磁電轉換元件630B係以配置於電流通路210A之U字形之外側且接近電流通路210A之位置之方式設計。圖7中，顯示圖6A沿VII-VII線之剖面圖。將藉由於一次導體210中流通電流而產生之第1磁電轉換元件630A之位置之磁通量密度設為B1s，將第2磁電轉換元件630B之位置之磁通量密度設為B2s。若將因外來磁性雜訊產生之磁通量密度分別設為B1n、B2n，則第1磁電轉換元件630A、第2磁電轉換元件630B之輸出Vo1、Vo2為Vo1=k1×(B1s+B1n)+Vu1
Vo2=k2×(-B2s+B2n)+Vu2其中，k1、k2為各靈敏度係數，Vu1、Vu2為各偏移值。
此處，由於雙方之磁電轉換元件之特性之差異極小，k1=k2=k、Vu1=Vu2成立，且雙方之磁電轉換元件之距離較近，故若與B1n=B2n近似，則為Vo=Vo1-Vo2=k×(B1s+B2s)由於外來磁場引起之雜訊消失，且相較於僅有U字形內側之第1磁電轉換元件630A之情形更能獲得較大信號，故會提高靈敏度。
又，圖6B顯示作為第1實施形態之電流感測器200之另一個變化形態，使用3個磁電轉換元件之例。電流感測器700除IC晶片730以外與電流感測器200相同。IC晶片730配置於支持部220A時，第1磁電轉換元件730A俯視時係配置於電流通路210A之U字形之內側，且第2磁電轉換元件730B及第3磁電轉換元件730C係以配置於電流通路210A之U字形之兩端之外側且接近於電流通路210A之位置之方式設計。若將藉由於一次導體210中流通電流而產生之第3磁電轉換元件730C之位置之磁通量密度設為B3s，將因外來磁性雜訊而在第3磁電轉換元件730C之位置產生之磁通量密度設為B3n，則為Vo=Vo1-(Vo2+Vo3)/2=k×(B1s+(B2s+B3s)/2)，與2個情形相同，外來磁場引起之雜訊會消失而靈敏度也隨之提高，且一次導體210與IC晶片730之位置關係於3個磁電轉換元件之配置方向產生雜訊之情形，亦可極力抑制輸出Vo之變動等級。
又，電流通路210A作為U字形電流通路之一形態，亦可使用例如C字形、V字形、或類似於此之形狀之電流通路。 (第2實施形態)
圖8顯示第2實施形態之電流感測器。電流感測器800與第1實施形態之電流感測器200之不同點在於，代替IC晶片230側視時係自支持部220A突出，而是構件220之支持部820A具有缺口部820A'，電流通路210A俯視時係配置於缺口部820A'。因此，IC晶片230雖未突出，但俯視時IC晶片230與電流通路210A重疊。圖9A顯示側視圖，圖9B顯示剖面圖。與第1實施形態相比較，由於側視時高度不同之電流通路210A在俯視時係配置於缺口部820A'，故引線框架之沖壓模具之加工會有些複雜，但由於可令IC晶片內之磁電轉換元件之配置產生自由度而配置於較IC晶片更內側，故可減少應力對偏移的影響。且與支持部、IC晶片之接著面積有所增加，故可更安定地支持IC晶片。
此外，與第1實施形態相同，亦可將IC晶片230作為具有2個磁電轉換元件之IC晶片630或具有3個磁電轉換元件之IC晶片730。 (第3實施形態)
圖10顯示第3實施形態之電流感測器。電流感測器1000與第1實施形態之電流感測器200之不同點在於，並非構件220而是於將階差部210C鄰接於電流通路210A之位置具有一次導體210。IC晶片230側視時係自支持部220A突出，且俯視時與電流通路210A重疊。圖11A顯示側視圖，圖11B顯示剖面圖。
此外，與第1實施形態相同，亦可將IC晶片230作為具有2個磁電轉換元件之IC晶片630或具有3個磁電轉換元件之IC晶片730。 (第4實施形態)
其次，作為電流感測器之一實施形態，參照圖12及圖13說明可提高電流檢測靈敏度，且可抑制外部磁場入侵之電流感測器。本實施形態之電流感測器之整體構成係與圖2顯示之第1實施形態大致相同，但具有磁性材料之構成與第1實施形態之構成不同。
以下，就本實施形態之電流感測器之構成，以與第1實施形態構成之差異為中心進行說明。
圖12顯示第4實施形態之電流感測器之構成例。如圖12所示，該電流感測器500A與圖2所示者相同，包含具有例如U字形之電流通路210A及導體端子210B之一次導體210、具有用以支持磁電轉換元件230A之支持部520A及引線端子220B之構件220、及具有磁電轉換元件230A之IC晶片230。一次導體210、構件220、及IC晶片230係用樹脂240A塑模成形。
另一方面，與圖2所示者不同，該實施形態，於IC晶片230上，形成有包含磁性材料之磁性材晶片540。又，與圖2所示者不同，支持部520A進而是以支持包含鐵氧體等磁性材料之磁性材晶片550之方式構成。該實施形態中，支持部520A例如具有2個階差部521A、521B。階差部521A、521B之形狀將以後述之圖13進行說明。
磁性材晶片540、550係以將一次導體210之電流通路210A中流通之電流產生之磁通量，收斂於磁電轉換元件230A之感磁部之方式配置。
此外，藉由從電流感測器500A之上述各構成要件中除去IC晶片230及樹脂240A，電流感測器500A成為電流感測器用基板。
圖13係圖12之電流感測器500A之側視圖。該電流感測器500A中，支持部520A之階差部521A係以支持部520A之中央部朝上方突出之方式形成，階差部521B係以支持部520A之前端部朝一次導體210更下方突出之方式形成。
且，該支持部520A之下部，形成有磁性材晶片550。換而言之，磁性材晶片550係自一次導體210分離而形成於支持部520A。
根據上述電流感測器500A之構成，由於當於一次導體210之電流通路中流通電流時，形成有磁性材晶片540、550，故可容易地將電流所產生之磁通量收斂於磁電轉換元件230A之感磁部。因此，電流感測器500A之電流檢測靈敏度得以提高。
另外，藉由磁性材晶片540、550之形成，可抑制外部磁場侵入電流感測器500A。 (第5實施形態)
其次，參照圖14及圖15說明第5實施形態。
圖12及圖13所示之第4實施形態中，形成有2個磁性材晶片540、550。本實施形態係藉由僅形成一個磁性體晶片540，可提高電流檢測靈敏度，且亦可抑制外部磁場之侵入之電流感測器。
圖14顯示第5實施形態之電流感測器之構成例。與圖12所示者相同，本實施形態之電流感測器500B包含具有例如U字形之電流通路210A之一次導體210、具有用以支持磁電轉換元件230A之支持部520B及引線端子220B之構件220、及具有磁電轉換元件230A之IC晶片230。又，與圖12所示者相同，於IC晶片230上形成有包含磁性材料之磁性材晶片540。一次導體210、構件220、及IC晶片230係以樹脂240A塑模成形。
另一方面，與圖12所示者不同，本實施形態之支持部520B僅具有例如一個階差部之521A。
此外，藉由從電流感測器500B之上述各構成要件中除去IC晶片230及樹脂240A，電流感測器500B成為電流感測器用基板。
圖15係圖14之電流感測器500B之側視圖。與圖13所示者相同，該電流感測器500B中，支持部520B之階差部521A係以使支持部520B之中央部朝上方突出之方式形成。又，與圖13所示者相同，磁性材晶片540係以將一次導體210之電流通路210A中流通之電流所產生之磁通量收斂於磁電轉換元件230A之感磁部之方式，配置於IC晶片230上。
根據上述電流感測器500B之構成，當於一次導體210之電流通路中流通電流時，由於形成有磁性材晶片540，故可容易地將電流所產生之磁通量收斂於磁電轉換元件230A之感磁部。因此，電流感測器500B之電流檢測靈敏度得以提高。
此外，藉由磁性材晶片540之形成，可抑制來自封裝上表面之外部磁場侵入電流感測器500B。 (第6實施形態)
其次，參照圖16及圖17說明第6實施形態。
圖12及圖13所示之第4實施形態中，形成有2個磁性材晶片540、550。本實施形態之電流感測器藉由僅形成1個磁性體晶片550，可一方面提高電流檢測靈敏度，且亦可抑制外部磁場之侵入。
圖16顯示第6實施形態之電流感測器之構成例。與圖12所示者相同，本實施形態之電流感測器500C包含具有例如U字形之電流通路210A之一次導體210、具有用以支持磁電轉換元件230A之支持部520A及引線端子220B之構件220、及具有磁電轉換元件230A之IC晶片230。又，與圖12所示者相同，於支持部520A之下部形成有包含磁性材料之磁性材晶片540。一次導體210、構件220、及IC晶片230係以樹脂240A塑模成形。
另，藉由從電流感測器500C之上述各構成要件中除去IC晶片230及樹脂240A，電流感測器500C便成為電流感測器用基板。
圖17係圖16之電流感測器500C之側視圖。與圖13所示者相同，該電流感測器500C中，支持部520A之階差部521A係以支持部520A之中央部朝上方突出之方式形成，階差部521B係以支持部520A之前端部朝一次導體210更下方突出之方式形成。又，與圖13所示者相同，磁性材晶片550係以將一次導體210之電流通路210A中流通之電流所產生之磁通量收斂於磁電轉換元件230A之感磁部之方式，配置於支持部520A之下部。
根據上述電流感測器500C之構成，於一次導體210之電流通路中流通電流時，由於形成有磁性材晶片550，故磁阻下降，由一次導體電流產生之磁通量增加。因此，電流感測器500C之電流檢測靈敏度獲得提高。
另，藉由磁性材晶片550之形成，可抑制來自封裝背面之外部磁場對電流感測器500C的侵入。 (變化例)
上述之各實施形態之電流感測器僅為例示，可進行如下所示之變更。
各實施形態之電流感測器500A、500B、500C，例如將具有U字形之電流通路210A之一次導體210舉例進行了說明，然而作為電流通路210A之其他形狀之例，只要可實現電流感測器之功能即可，例如亦可具有其他形狀等。
各實施形態之電流感測器500A、500B、500C，對應用具有1個磁電轉換元件之IC晶片230之情形進行了說明，然而作為IC晶片之例，例如亦可具有2個以上之磁電轉換元件。此情形下，較好的是，以於各磁電轉換元件之感磁部收斂磁通量之方式配置磁性材料。
各實施形態之電流感測器500A、500B、500C，對應用包含磁性材料之磁性體晶片540、550之情形進行了說明，然而作為磁性材料之構成例，例如亦可為形成於IC表面等之電鍍磁性體等。
各實施形態之電流感測器500A、500B、500C，較好的是，於一次導體210與IC晶片230之間，以覆蓋一次導體210之方式形成絕緣構件。例如絕緣構件係包含耐壓優秀之片材之絕緣膠帶，該絕緣膠帶之一面上較好為塗佈有粘合劑。
各實施形態之電流感測器500A、500B、500C之各支持部520A、520B具有階差部，階差部之形狀只要能改變支持部之高度即可進行變更。另，階差部之個數只要能實現電流感測器之功能即可，可為3個以上。
各實施形態之磁電轉換元件亦可為包含信號處理電路之霍爾IC或磁阻IC。
200‧‧‧電流感測器
210‧‧‧一次導體
210A‧‧‧電流通路
210B‧‧‧一次導體端子
210C‧‧‧階差部
220‧‧‧信號端子側構件
220A‧‧‧支持部
220B‧‧‧引線端子
220B_1‧‧‧引線端子
220B_2‧‧‧引線端子
220C‧‧‧階差部
230‧‧‧IC晶片
230A‧‧‧磁電轉換元件
240‧‧‧樹脂
520A‧‧‧支持部
520B‧‧‧支持部
521A‧‧‧階差部
521B‧‧‧階差部
540‧‧‧磁性材晶片
550‧‧‧磁性材晶片
550A‧‧‧電流感測器
550B‧‧‧電流感測器
550C‧‧‧電流感測器
630‧‧‧IC晶片
630A‧‧‧第1磁電轉換元件
630B‧‧‧第2磁電轉換元件
730‧‧‧IC晶片
730A‧‧‧第1磁電轉換元件
730B‧‧‧第2磁電轉換元件
730C‧‧‧第3磁電轉換元件
800‧‧‧電流感測器
820A‧‧‧支持部
820A'‧‧‧缺口部
1000‧‧‧電流感測器
圖1係顯示先前之電流感測器之圖。
圖2係顯示第1實施形態之電流感測器之圖。
圖3A係圖2之電流感測器之側視圖。
圖3B係沿圖2之IIIB-IIIB線之剖面圖。
圖4A係用以說明實施形態1之電流感測器之製造方法之圖。
圖4B係用以說明實施形態1之電流感測器之製造方法之圖。
圖4C係用以說明實施形態1之電流感測器之製造方法之圖。
圖5A係用以說明實施形態1之電流感測器之製造方法之圖。
圖5B係用以說明實施形態1之電流感測器之製造方法之圖。
圖5C係用以說明實施形態1之電流感測器之製造方法之圖。
圖6A係顯示實施形態1之電流感測器之變化形態之圖。
圖6B係顯示實施形態1之電流感測器之變化形態之圖。
圖7係顯示沿圖6A之VII-VII線之剖面圖之圖。
圖8係顯示第2實施形態之電流感測器之圖。
圖9A係圖8之電流感測器之側視圖。
圖9B係圖8之電流感測器之剖面圖。
圖10係顯示第3實施形態之電流感測器之圖。
圖11A係圖10之電流感測器之側視圖。
圖11B係圖10之電流感測器之剖面圖。
圖12係顯示第4實施形態之電流感測器之一例之圖。
圖13係圖12之電流感測器之側視圖。
圖14係顯示第5實施形態之電流感測器之一例之圖。
圖15係圖14之電流感測器之側視圖。
圖16係顯示第5實施形態之電流感測器之一例之圖。
圖17係圖16之電流感測器之側視圖。
210‧‧‧一次導體
210A‧‧‧電流通路
220‧‧‧信號端子側構件
220A‧‧‧支持部
220B_1‧‧‧引線端子
220B_2‧‧‧引線端子
220C‧‧‧階差部
230‧‧‧IC晶片
230A‧‧‧磁電轉換元件
240‧‧‧樹脂

权利要求:
Claims (22)
[1] 一種電流感測器用基板，其特徵為包含：具有U字形之電流通路之一次導體；用以支持磁電轉換元件之支持部；及與上述支持部連接之引線端子；且上述U字形之電流通路係以俯視時不與上述支持部重疊，且側視時與上述支持部之高度不同之方式形成。
[2] 如請求項1之電流感測器用基板，其中上述引線端子經由階差而與上述支持部連接。
[3] 如請求項1或2之電流感測器用基板，其中上述支持部具有缺口部；上述U字形之電流通路俯視時係配置於上述缺口部。
[4] 如請求項1至3中任一項之電流感測器用基板，其中上述一次導體具有連接於上述U字形之電流通路之階差部。
[5] 如請求項1至4中任一項之電流感測器用基板，其中進而包含以俯視時與上述U字形之電流通路重疊之方式配置之磁性體材料。
[6] 如請求項5之電流感測器用基板，其中進而包含以夾著上述U字形之電流通路之方式配置之磁性體材料。
[7] 一種電流感測器，其包含：如請求項1至4中任一項之電流感測器用基板；及IC晶片，其配置於上述電流感測器用基板之上述支持部，且包含檢測自上述電流感測器用基板之上述U字形之電流通路中流通之電流所產生之磁通量之磁電轉換元件。
[8] 如請求項7之電流感測器，其中上述磁電轉換元件俯視時係配置於上述U字形之電流通路之上述U字形之內側。
[9] 一種電流感測器，其特徵為包含：如請求項5或6之電流感測器用基板；及IC晶片，其配置於上述電流感測器用基板之上述支持部，且包含檢測自上述電流感測器用基板之上述電流通路中流通之電流所產生之磁通量之磁電轉換元件；且上述磁電轉換元件俯視時係配置於上述U字形之電流通路之上述U字形之內側。
[10] 如請求項9之電流感測器，其中上述磁性材料係以於與配置有上述IC晶片之上述U字形之電流通路之側之面相反之面側，覆蓋上述磁電轉換元件之局部或整體之方式形成。
[11] 如請求項9或10之電流感測器，其中上述磁性材料係自上述一次導體分離而形成於上述支持部上。
[12] 如請求項9至11中任一項之電流感測器，其中上述磁性材料包含電鍍磁性體或磁性體晶片而構成。
[13] 如請求項7至12中任一項之電流感測器，其中上述IC晶片側視時係從上述支持部突出。
[14] 如請求項13之電流感測器，其中上述IC晶片俯視時係與上述電流通路重疊，且上述磁電轉換元件俯視時係配置於上述U字形之電流通路之上述U字形之內側。
[15] 如請求項13或14之電流感測器，其中上述IC晶片俯視時係與上述U字形之電流通路隔以特定之間隔而配置。
[16] 如請求項13至15中任一項之電流感測器，其中上述一次導體未支持上述IC晶片。
[17] 如請求項7至12中任一項之電流感測器，其中上述電流感測器用基板之上述支持部具有缺口部；上述電流感測器用基板之上述U字形之電流通路俯視時係配置於上述缺口部，且與上述IC晶片重疊。
[18] 如請求項7至17中任一項之電流感測器，其中上述磁電轉換元件係霍爾元件。
[19] 如請求項7至18中任一項之電流感測器，其中上述IC晶片進而包含配置於上述電流通路之U字形之外側且接近上述電流通路之位置之第2磁電轉換元件。
[20] 如請求項7至19中任一項之電流感測器，其中上述磁電轉換元件係包含信號處理電路之霍爾IC或磁阻IC。
[21] 如請求項7至20中任一項之電流感測器，其中進而包含形成於上述電流感測器用基板之一次導體與上述IC晶片之間之絕緣構件。
[22] 如請求項21之電流感測器，其中上述絕緣構件為絕緣膠帶。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

TWI480554B|2015-04-11|Current sensor substrate and current sensor

JP4575153B2|2010-11-04|電流測定方法および電流測定装置

US8760149B2|2014-06-24|Magnetic field current sensors

KR100746546B1|2007-08-06|전류 센서 및 전류 센서 제조 방법

US11112435B2|2021-09-07|Current transducer with integrated primary conductor

JP6017182B2|2016-10-26|電流センサ

JP6415148B2|2018-10-31|電流センサ

JP6256819B2|2018-01-10|電流センサ及び電流測定装置

JP5695196B2|2015-04-01|電流センサ用基板及び電流センサ

JP2015152363A|2015-08-24|電流センサ

JP2003302428A|2003-10-24|基板実装型電流センサ及び電流測定方法

JP6314010B2|2018-04-18|電流センサ

JP6346738B2|2018-06-20|電流センサ

JP6767212B2|2020-10-14|電流センサ

US20210088600A1|2021-03-25|Sensor devices having a sensor chip and busbar

JP2021025785A|2021-02-22|電流センサおよび電流センサの製造方法

JP6914671B2|2021-08-04|電流センサ

JP2021015116A|2021-02-12|電流センサおよび電流センサの製造方法

JP2005121471A|2005-05-12|電流センサ

JP2018112537A|2018-07-19|Ｉｃ化磁気センサおよびそれに使用するリードフレーム

同族专利:

公开号 | 公开日

EP2733496A1|2014-05-21|

KR101503224B1|2015-03-16|

WO2013008462A1|2013-01-17|

TWI480554B|2015-04-11|

CN103649762A|2014-03-19|

KR20140019470A|2014-02-14|

JP5695195B2|2015-04-01|

EP2733496A4|2014-12-24|

US20140167736A1|2014-06-19|

EP2733496B1|2016-09-07|

CN103649762B|2015-09-16|

US9448256B2|2016-09-20|

JPWO2013008462A1|2015-02-23|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

TWI504904B|2013-07-30|2015-10-21|Asahi Kasei Microdevices Corp|Current sensor|JPS5224404B1|1971-04-29|1977-07-01|||

DE69837694T2|1997-05-21|2008-01-10|Sony Manufacturing Systems Corp., Kuki|Fühler für magnetisches Metall und Verfahren zum Detektieren eines magnetischen Metalls|

JP2001165963A|1999-12-09|2001-06-22|Sanken Electric Co Ltd|ホール素子を備えた電流検出装置|

JP4164615B2|1999-12-20|2008-10-15|サンケン電気株式会社|ホ−ル素子を備えた電流検出装置|

JP2001339109A|2000-05-26|2001-12-07|Sanken Electric Co Ltd|ホ−ル素子を備えた電流検出装置|

US6563299B1|2000-08-30|2003-05-13|Micron Technology, Inc.|Apparatus for measuring parasitic capacitance and inductance of I/O leads on an electrical component using a network analyzer|

CN1295515C|2001-11-26|2007-01-17|旭化成电子株式会社|电流传感器|

JP2003329749A|2002-05-13|2003-11-19|Asahi Kasei Corp|磁気センサ及び電流センサ|

US20060219436A1|2003-08-26|2006-10-05|Taylor William P|Current sensor|

US7709754B2|2003-08-26|2010-05-04|Allegro Microsystems, Inc.|Current sensor|

US7098528B2|2003-12-22|2006-08-29|Lsi Logic Corporation|Embedded redistribution interposer for footprint compatible chip package conversion|

TW200617952A|2004-07-27|2006-06-01|Univ Toronto|Tunable magnetic switch|

JP5222542B2|2007-12-07|2013-06-26|矢崎総業株式会社|電流センサ|

JP4997146B2|2008-03-05|2012-08-08|旭化成エレクトロニクス株式会社|電流センサ|

JP2014085277A|2012-10-25|2014-05-12|Sumitomo Wiring Syst Ltd|電流センサ|US10345343B2|2013-03-15|2019-07-09|Allegro Microsystems, Llc|Current sensor isolation|

JP6294034B2|2013-09-05|2018-03-14|ルネサスエレクトロニクス株式会社|センサ装置|

JP6234263B2|2014-02-12|2017-11-22|旭化成エレクトロニクス株式会社|電流センサ|

JP6314010B2|2014-03-28|2018-04-18|旭化成エレクトロニクス株式会社|電流センサ|

CN106461705B|2014-06-27|2019-04-30|旭化成微电子株式会社|电流传感器|

CN106653999A|2016-12-22|2017-05-10|上海南麟电子股份有限公司|一种单芯片霍尔电流传感器及其制备方法|

US10698005B2|2017-04-20|2020-06-30|Asahi Kasei Microdevices Corporation|Magnetic detection device, current detection device, method for manufacturing magnetic detection device, and method for manufacturing current detection device|

US10914765B1|2019-07-31|2021-02-09|Allegro Microsystems, Llc|Multi-die integrated current sensor|

CN114008464A|2019-08-26|2022-02-01|株式会社村田制作所|电流传感器|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

JP2011154658||2011-07-13||

JP2012114392||2012-05-18||

[返回顶部]